Firmamız sağlarSiC kaplamaGrafit, seramik ve diğer malzemelerin yüzeyinde CVD yöntemiyle işlem hizmetleri, böylece karbon ve silikon içeren özel gazlar yüksek sıcaklıkta reaksiyona girerek yüksek saflıkta Sic molekülleri elde edebilir ve bu moleküller kaplanmış malzemelerin yüzeyinde biriktirilebilir.SiC koruyucu katmanepitaksi varil tipi hipnotik için.
Ana Özellikler:
1. Yüksek saflıkta SiC kaplı grafit
2. Üstün ısı direnci ve termal tekdüzelik
3. İyiSiC kristal kaplıpürüzsüz bir yüzey için
4. Kimyasal temizliğe karşı yüksek dayanıklılık
Ana ÖzellikleriCVD-SIC Kaplama
| SiC-CVD Özellikleri | ||
| Kristal yapı | FCC β fazı | |
| Yoğunluk | g/cm³ | 3.21 |
| Sertlik | Vickers sertliği | 2500 |
| Tane büyüklüğü | μm | 2~10 |
| Kimyasal Saflık | % | 99.99995 |
| Isı kapasitesi | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Süblimleşme Sıcaklığı | °C | 2700 |
| Feleksural Dayanım | MPa (RT 4 nokta) | 415 |
| Gencin modülü | Gpa (4pt viraj, 1300°C) | 430 |
| Termal Genleşme (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Termal iletkenlik | (W/mK) | 300 |
