Ürün Açıklaması
Firmamız grafit, seramik ve diğer malzemelerin yüzeyinde CVD yöntemiyle SiC kaplama proses hizmetleri vermekte, böylece karbon ve silikon içeren özel gazlar yüksek sıcaklıkta reaksiyona girerek yüksek saflıkta SiC molekülleri, kaplanan malzemelerin yüzeyinde biriken moleküller elde edilmektedir. SIC koruyucu tabakasını oluşturur.
Ana Özellikler:
1. Yüksek sıcaklıkta oksidasyon direnci:
Sıcaklık 1600 C'ye kadar çıktığında oksidasyon direnci hala çok iyidir.
2. Yüksek saflık: yüksek sıcaklıkta klorlama koşulu altında kimyasal buhar biriktirme yoluyla yapılır.
3. Erozyon direnci: yüksek sertlik, kompakt yüzey, ince parçacıklar.
4. Korozyon direnci: asit, alkali, tuz ve organik reaktifler.
CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri
| SiC-CVD Özellikleri | ||
| Kristal yapı | FCC β fazı | |
| Yoğunluk | g/cm³ | 3.21 |
| Sertlik | Vickers sertliği | 2500 |
| Tane büyüklüğü | μm | 2~10 |
| Kimyasal Saflık | % | 99.99995 |
| Isı kapasitesi | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Süblimleşme Sıcaklığı | °C | 2700 |
| Feleksural Dayanım | MPa (RT 4 nokta) | 415 |
| Gencin modülü | Gpa (4pt viraj, 1300°C) | 430 |
| Termal Genleşme (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Termal iletkenlik | (W/mK) | 300 |
