Silikon bazlı GaN epitaksi

Kısa Açıklama:

Semicera Enerji Teknolojileri A.Ş. gelişmiş yarı iletken seramiklerin lider tedarikçisi ve Çin'de aynı anda yüksek saflıkta silisyum karbür seramik (özellikleYeniden kristalleştirildi SiC) ve CVD SiC kaplama.Ayrıca firmamız alümina, alüminyum nitrür, zirkonya ve silisyum nitrür vb. seramik alanlarına da kendini adamıştır.

 

Ürün ayrıntısı

Ürün etiketleri

Ürün Açıklaması

Firmamız sağlarSiC kaplamaGrafit, seramik ve diğer malzemelerin yüzeyinde CVD yöntemiyle proses hizmetleri, böylece karbon ve silikon içeren özel gazlar, yüksek saflıkta SiC molekülleri, kaplanmış malzemelerin yüzeyinde biriken moleküller elde etmek için yüksek sıcaklıkta reaksiyona girer.SIC koruyucu katman.

Ana Özellikler:

1. Yüksek sıcaklıkta oksidasyon direnci:

Sıcaklık 1600 C'ye kadar çıktığında oksidasyon direnci hala çok iyidir.

2. Yüksek saflık: yüksek sıcaklıkta klorlama koşulu altında kimyasal buhar biriktirme yoluyla yapılır.

3. Erozyon direnci: yüksek sertlik, kompakt yüzey, ince parçacıklar.

4. Korozyon direnci: asit, alkali, tuz ve organik reaktifler.

 

CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri

SiC-CVD Özellikleri

Kristal yapı

FCC β fazı

Yoğunluk

g/cm³

3.21

Sertlik

Vickers sertliği

2500

Tane büyüklüğü

μm

2~10

Kimyasal Saflık

%

99.99995

Isı kapasitesi

J·kg-1 ·K-1

640

Süblimleşme Sıcaklığı

°C

2700

Feleksural Dayanım

MPa (RT 4 nokta)

415

Gencin modülü

Gpa (4pt viraj, 1300°C)

430

Termal Genleşme (CTE)

10-6K-1

4.5

Termal iletkenlik

(W/mK)

300

未标题-1
17
211
Semicera İşyeri
Semicera iş yeri 2
Ekipman makinesi
CNN işleme, kimyasal temizleme, CVD kaplama
Servisimiz

  • Öncesi:
  • Sonraki: