Silisyum Karbür Kaplamalı Grafit Tutucu, Gofret Taşıyıcı

Kısa Açıklama:

Semicera, çeşitli epitaksi reaktörleri için tasarlanmış kapsamlı bir sensör ve grafit bileşenleri yelpazesi sunar.

Semicera, sektör lideri OEM'lerle stratejik ortaklıklar, kapsamlı malzeme uzmanlığı ve gelişmiş üretim yetenekleri sayesinde uygulamanızın özel gereksinimlerini karşılamak için özel tasarımlar sunar.Mükemmelliğe olan bağlılığımız, epitaksi reaktör ihtiyaçlarınız için en uygun çözümleri almanızı sağlar.

 

Ürün ayrıntısı

Ürün etiketleri

Tanım

CVD-SiC kaplama, kararlı fiziksel ve kimyasal özelliklere sahip, tekdüze yapı, kompakt malzeme, yüksek sıcaklık dayanımı, oksidasyon direnci, yüksek saflık, asit ve alkali direnci ve organik reaktif özelliklerine sahiptir.
Yüksek saflıkta grafit malzemelerle karşılaştırıldığında, grafit 400C'de oksitlenmeye başlar, bu da oksidasyon nedeniyle toz kaybına neden olur, bu da çevresel cihazlar ve vakum odalarında çevre kirliliğine neden olur ve yüksek saflıktaki ortamın safsızlıklarını artırır.
Bununla birlikte SiC kaplama 1600 derecede fiziksel ve kimyasal stabiliteyi koruyabilmektedir. Modern endüstride özellikle yarı iletken endüstrisinde yaygın olarak kullanılmaktadır.

FDVCDV

zcfvzxcvZSXCv

Firmamız grafit, seramik ve diğer malzemelerin yüzeyinde CVD yöntemiyle SiC kaplama proses hizmetleri vermekte, böylece karbon ve silikon içeren özel gazlar yüksek sıcaklıkta reaksiyona girerek yüksek saflıkta SiC molekülleri, kaplanan malzemelerin yüzeyinde biriken moleküller elde edilmektedir. SIC koruyucu tabakasını oluşturur.Oluşturulan SIC, grafit bazına sıkı bir şekilde bağlanarak grafit bazına özel özellikler kazandırır, böylece grafitin yüzeyini kompakt, Gözeneksiz, yüksek sıcaklık direnci, korozyon direnci ve oksidasyon direnci haline getirir.

Başvuru

Ana Özellikler

1. Yüksek saflıkta SiC kaplı grafit

2. Üstün ısı direnci ve termal tekdüzelik

3. Pürüzsüz bir yüzey için kaplanmış ince SiC kristali

4. Kimyasal temizliğe karşı yüksek dayanıklılık

CVD-SIC Kaplamaların Ana Özellikleri

SiC-CVD
Yoğunluk (g/cc) 3.21
Bükülme mukavemeti (Mpa) 470
Termal Genleşme (10-6/K) 4
Termal iletkenlik (W/mK) 300

Paketleme ve Nakliye

Tedarik Yeteneği:
Aylık 10000 Adet / Adet
Paketleme:
Ambalaj: Standart ve Güçlü Ambalaj
Poli çanta + Kutu + Karton + Palet
Liman:
Ningbo/Shenzhen/Şangay
Kurşun zamanı:

Adet (Adet) 1 – 1000 >1000
Avustralya, Brezilya ve Kuzey Amerika ülkelerinin kullandığı saat uygulaması.Zaman(gün) 15 Müzakere edilecek
Semicera İşyeri
Semicera iş yeri 2
Ekipman makinesi
CNN işleme, kimyasal temizleme, CVD kaplama
Servisimiz

  • Öncesi:
  • Sonraki: