Yarı iletken Silikon bazlı GaN epitaksi

Kısa Açıklama:

Semicera Energy Technology Co., Ltd., gelişmiş yarı iletken seramiklerin lider tedarikçisidir ve Çin'de aynı anda yüksek saflıkta silisyum karbür seramik (özellikle Yeniden Kristalize SiC) ve CVD SiC kaplama sağlayabilen tek üreticidir. Ayrıca firmamız alümina, alüminyum nitrür, zirkonya ve silisyum nitrür vb. seramik alanlarına da kendini adamıştır.

 

Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Silikon bazlı GaN epitaksi

Ürün Açıklaması

Firmamız grafit, seramik ve diğer malzemelerin yüzeyinde CVD yöntemiyle SiC kaplama proses hizmetleri vermekte, böylece karbon ve silikon içeren özel gazlar yüksek sıcaklıkta reaksiyona girerek yüksek saflıkta SiC molekülleri, kaplanan malzemelerin yüzeyinde biriken moleküller elde edilmektedir. SIC koruyucu tabakasını oluşturur.

Ana özellikler:

1. Yüksek sıcaklıkta oksidasyon direnci:

Sıcaklık 1600 C'ye kadar çıktığında oksidasyon direnci hala çok iyidir.

2. Yüksek saflık: yüksek sıcaklıkta klorlama koşulu altında kimyasal buhar biriktirme yoluyla yapılır.

3. Erozyon direnci: yüksek sertlik, kompakt yüzey, ince parçacıklar.

4. Korozyon direnci: asit, alkali, tuz ve organik reaktifler.

CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri

SiC-CVD Özellikleri

Kristal Yapısı

FCC β fazı

Yoğunluk

g/cm³

3.21

Sertlik

Vickers sertliği

2500

Tane Boyutu

μm

2~10

Kimyasal Saflık

%

99.99995

Isı Kapasitesi

J·kg-1 ·K-1

640

Süblimleşme Sıcaklığı

°C

2700

Feleksural Dayanım

MPa (RT 4 nokta)

415

Young Modülü

Gpa (4pt viraj, 1300°C)

430

Termal Genleşme (CTE)

10-6K-1

4.5

Isı iletkenliği

(W/mK)

300

Semicera İş yeri
Semicera iş yeri 2
Ekipman makinesi
CNN işleme, kimyasal temizleme, CVD kaplama
Hizmetimiz

  • Öncesi:
  • Sonraki: