Tanım
Gofret TaşıyıcılarıileSilisyum Karbür (SiC) Kaplamasemicera'dan yüksek performanslı epitaksiyel büyüme için ustalıkla tasarlanmış olup, en iyi sonuçları sağlar.Si EpitaksiVeSiC Epitaksiuygulamalar. Semicera'nın hassas şekilde tasarlanmış taşıyıcıları aşırı koşullara dayanacak şekilde üretilmiştir ve bu da onları yüksek doğruluk ve dayanıklılık gerektiren endüstriler için MOCVD Susceptor sistemlerinin vazgeçilmez bileşenleri haline getirir.
Bu levha taşıyıcıları çok yönlüdür ve kritik süreçleri aşağıdaki gibi ekipmanlarla destekler:PSS Gravür Taşıyıcı, ICP Dağlama Taşıyıcısı, VeRTP Taşıyıcısı. Sağlam SiC Kaplamaları aşağıdaki gibi uygulamalar için performansı artırır:LED EpitaksiyelSüseptör ve Monokristal Silikon, zorlu ortamlarda bile tutarlı sonuçlar sağlar.
Namlu Süseptör ve Yassı Süseptör gibi birden fazla konfigürasyonda mevcut olan bu taşıyıcılar, fotovoltaik ve yarı iletken üretiminde hayati bir rol oynayarak Fotovoltaik Parçaların üretimini destekler ve SiC Epitaksi proseslerinde GaN'yi kolaylaştırır. Üstün tasarımlarıyla bu taşıyıcılar, yüksek verimli üretim hedefleyen üreticiler için önemli bir varlıktır.
Ana Özellikler
1. Yüksek saflıkta SiC kaplı grafit
2. Üstün ısı direnci ve termal tekdüzelik
3. İyiSiC kristal kaplıpürüzsüz bir yüzey için
4. Kimyasal temizliğe karşı yüksek dayanıklılık
CVD-SIC Kaplamaların Ana Özellikleri:
| SiC-CVD | ||
| Yoğunluk | (g/cc) | 3.21 |
| Eğilme mukavemeti | (Mpa) | 470 |
| Termal genleşme | (10-6/K) | 4 |
| Isı iletkenliği | (W/mK) | 300 |
Paketleme ve Nakliye
Tedarik Yeteneği:
Aylık 10000 Adet / Adet
Paketleme ve Teslimat:
Ambalaj: Standart ve Güçlü Ambalaj
Poli çanta + Kutu + Karton + Palet
Liman:
Ningbo/Shenzhen/Şanghay
Kurşun zamanı:
| Adet (Adet) | 1-1000 | >1000 |
| Avustralya, Brezilya ve Kuzey Amerika ülkelerinin kullandığı saat uygulaması. Zaman(gün) | 30 | Müzakere edilecek |
