Yarı iletken gravür için SiC kaplama taşıyıcıları

Kısa Açıklama:

Semicera Semiconductor Technology Co., Ltd. gelişmiş yarı iletken seramiklerin lider tedarikçisidir. Ana ürünlerimiz arasında silisyum karbür kazınmış diskler, silisyum karbür tekne römorkları, silisyum karbür levha gemileri (PV ve Yarı İletken), silisyum karbür fırın tüpleri, silisyum karbür konsol kürekleri, silisyum karbür aynası, silisyum karbür kirişlerin yanı sıra CVD SiC kaplamalar ve TaC kaplamalar.

Ürünler ağırlıklı olarak kristal büyütme, epitaksi, aşındırma, paketleme, kaplama ve difüzyon fırını ekipmanları gibi yarı iletken ve fotovoltaik endüstrilerinde kullanılmaktadır.

 

 


Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Tanım

Firmamız grafit, seramik ve diğer malzemelerin yüzeyinde CVD yöntemiyle SiC kaplama proses hizmetleri vermekte, böylece karbon ve silikon içeren özel gazlar yüksek sıcaklıkta reaksiyona girerek yüksek saflıkta SiC molekülleri, kaplanan malzemelerin yüzeyinde biriken moleküller elde edilmektedir. SIC koruyucu tabakasını oluşturur.

Ana Özellikler

1. Yüksek sıcaklıkta oksidasyon direnci:
Sıcaklık 1600 C'ye kadar çıktığında oksidasyon direnci hala çok iyidir.
2. Yüksek saflık: yüksek sıcaklıkta klorlama koşulu altında kimyasal buhar biriktirme yoluyla yapılır.
3. Erozyon direnci: yüksek sertlik, kompakt yüzey, ince parçacıklar.
4. Korozyon direnci: asit, alkali, tuz ve organik reaktifler.

CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri

SiC-CVD Özellikleri

Kristal Yapısı FCC β fazı
Yoğunluk g/cm³ 3.21
Sertlik Vickers sertliği 2500
Tane Boyutu μm 2~10
Kimyasal Saflık % 99.99995
Isı Kapasitesi J·kg-1 ·K-1 640
Süblimleşme Sıcaklığı °C 2700
Feleksural Dayanım MPa (RT 4 nokta) 415
Young Modülü Gpa (4pt viraj, 1300°C) 430
Termal Genleşme (CTE) 10-6K-1 4.5
Isı iletkenliği (W/mK) 300
Semicera İş yeri
Semicera iş yeri 2
Ekipman makinesi
CNN işleme, kimyasal temizleme, CVD kaplama
Hizmetimiz

  • Öncesi:
  • Sonraki: