Semicera, çeşitli bileşenler ve taşıyıcılar için özel tantal karbür (TaC) kaplamalar sağlar.Semicera Semicera'nın önde gelen kaplama prosesi, tantal karbür (TaC) kaplamaların yüksek saflık, yüksek sıcaklık stabilitesi ve yüksek kimyasal tolerans elde etmesini sağlayarak SIC/GAN kristallerinin ve EPI katmanlarının ürün kalitesini artırır (Grafit kaplı TaC tutucu) ve temel reaktör bileşenlerinin ömrünün uzatılması. Tantal karbür TaC kaplamanın kullanımı, kenar problemini çözmek ve kristal büyüme kalitesini arttırmaktır ve Semicera, tantal karbür kaplama teknolojisini (CVD) çözerek uluslararası ileri seviyeye ulaşarak çığır açmıştır.
Yıllar süren geliştirme sürecinin ardından Semicera, teknolojiyi fethettiCVD TaCAr-Ge departmanının ortak çabaları ile. SiC levhaların büyüme sürecinde kusurların oluşması kolaydır, ancak kullanımdan sonraTaCfark önemlidir. Aşağıda TaC içeren ve içermeyen plakaların yanı sıra tek kristal büyütme için Semicera parçalarının bir karşılaştırması bulunmaktadır.
TaC ile ve TaC olmadan
TaC kullandıktan sonra (sağda)
Ayrıca Semicera'nın TaC kaplama ürünlerinin servis ömrü SiC kaplamaya göre daha uzun ve yüksek sıcaklığa daha dayanıklıdır. Uzun süreli laboratuvar ölçüm verilerinden sonra TaC'miz maksimum 2300 santigrat derecede uzun süre çalışabilir. Örneklerimizden bazıları şunlardır:
(a) PVT yöntemiyle SiC tek kristal külçe yetiştirme cihazının şematik diyagramı (b) Üst TaC kaplı tohum braketi (SiC tohumu dahil) (c) TAC kaplı grafit kılavuz halkası
