Çin Gofret Üreticileri, Tedarikçiler, Fabrika
Yarı iletken levha nedir?
Yarı iletken levha, entegre devrelerin (IC'ler) ve diğer elektronik cihazların üretimi için temel görevi gören ince, yuvarlak bir yarı iletken malzeme dilimidir. Plaka, üzerine çeşitli elektronik bileşenlerin yerleştirildiği düz ve düzgün bir yüzey sağlar.
Plaka üretim prosesi, istenen yarı iletken malzemeden büyük bir tek kristalin büyütülmesi, kristalin bir elmas testere kullanılarak ince plakalar halinde dilimlenmesi ve ardından yüzey kusurlarını veya yabancı maddeleri gidermek için plakaların cilalanması ve temizlenmesi dahil olmak üzere birkaç adımı içerir. Ortaya çıkan levhalar oldukça düz ve pürüzsüz bir yüzeye sahiptir; bu, sonraki imalat süreçleri için çok önemlidir.
Plakalar hazırlandıktan sonra, elektronik bileşenler oluşturmak için gereken karmaşık desenleri ve katmanları oluşturmak için fotolitografi, gravür, biriktirme ve katkılama gibi bir dizi yarı iletken üretim sürecinden geçer. Bu işlemler, birden fazla entegre devre veya başka cihaz oluşturmak için tek bir levha üzerinde birden çok kez tekrarlanır.
Üretim süreci tamamlandıktan sonra, bireysel talaşlar, gofretin önceden tanımlanmış çizgiler boyunca kesilmesiyle ayrılır. Ayrılan çipler daha sonra onları korumak ve elektronik cihazlara entegrasyon için elektrik bağlantıları sağlamak üzere paketleniyor.
Gofret üzerinde farklı malzemeler
Yarı iletken plakalar, bolluğu, mükemmel elektriksel özellikleri ve standart yarı iletken üretim süreçleriyle uyumluluğu nedeniyle öncelikle tek kristalli silikondan yapılır. Ancak özel uygulamalara ve gereksinimlere bağlı olarak gofret yapımında başka malzemeler de kullanılabilir. İşte bazı örnekler:
Silisyum karbür (SiC), geleneksel malzemelere kıyasla üstün fiziksel özellikler sunan geniş bant aralıklı bir yarı iletken malzemedir. Verimliliği artırırken ayrı cihazların, modüllerin ve hatta tüm sistemlerin boyutunun ve ağırlığının azaltılmasına yardımcı olur.
SiC'nin Temel Özellikleri:
- -Geniş Bant Aralığı:SiC'nin bant aralığı silikonun yaklaşık üç katıdır ve bu da onun 400°C'ye kadar daha yüksek sıcaklıklarda çalışmasına olanak tanır.
- -Yüksek Kritik Arıza Alanı:SiC, silikonun elektrik alanının on katına kadar dayanabilir, bu da onu yüksek voltajlı cihazlar için ideal kılar.
- -Yüksek Isı İletkenliği:SiC, ısıyı verimli bir şekilde dağıtarak cihazların optimum çalışma sıcaklıklarını korumasına ve kullanım ömrünü uzatmasına yardımcı olur.
- -Yüksek Doygunluk Elektron Sürüklenme Hızı:Silikonun sürüklenme hızının iki katı olan SiC, cihazın minyatürleştirilmesine yardımcı olarak daha yüksek anahtarlama frekanslarına olanak tanır.
Uygulamalar:
-
-Güç Elektroniği:SiC güç cihazları, yüksek voltaj, yüksek akım, yüksek sıcaklık ve yüksek frekanslı ortamlarda üstün performans göstererek enerji dönüşüm verimliliğini önemli ölçüde artırır. Elektrikli araçlarda, şarj istasyonlarında, fotovoltaik sistemlerde, demiryolu taşımacılığında ve akıllı şebekelerde yaygın olarak kullanılmaktadırlar.
-
-Mikrodalga İletişimi:SiC tabanlı GaN RF cihazları, özellikle 5G baz istasyonları için kablosuz iletişim altyapısı açısından büyük önem taşıyor. Bu cihazlar, SiC'nin mükemmel termal iletkenliğini GaN'nin yüksek frekanslı, yüksek güçlü RF çıkışıyla birleştirerek onları yeni nesil yüksek frekanslı telekom ağları için tercih edilen seçenek haline getiriyor.
Galyum nitrür (GaN)geniş bant aralığına, yüksek termal iletkenliğe, yüksek elektron doygunluğu sürüklenme hızına ve mükemmel arıza alanı özelliklerine sahip üçüncü nesil geniş bant aralıklı bir yarı iletken malzemedir. GaN cihazları, LED enerji tasarruflu aydınlatma, lazer projeksiyon ekranları, elektrikli araçlar, akıllı şebekeler ve 5G iletişimleri gibi yüksek frekans, yüksek hız ve yüksek güç alanlarında geniş uygulama olanaklarına sahiptir.
Galyum arsenit (GaAs)yüksek frekansı, yüksek elektron hareketliliği, yüksek güç çıkışı, düşük gürültüsü ve iyi doğrusallığı ile bilinen yarı iletken bir malzemedir. Optoelektronik ve mikroelektronik endüstrilerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Optoelektronikte, GaAs substratları LED (ışık yayan diyotlar), LD (lazer diyotlar) ve fotovoltaik cihazların üretiminde kullanılır. Mikroelektronikte, MESFET'lerin (metal-yarı iletken alan etkili transistörler), HEMT'lerin (yüksek elektron hareketlilik transistörleri), HBT'lerin (heteroeklem bipolar transistörler), IC'lerin (entegre devreler), mikrodalga diyotların ve Hall etkili cihazların üretiminde kullanılırlar.
İndiyum fosfit (InP)yüksek elektron hareketliliği, mükemmel radyasyon direnci ve geniş bant aralığı ile bilinen önemli III-V bileşik yarı iletkenlerinden biridir. Optoelektronik ve mikroelektronik endüstrilerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
