Semicera, çeşitli bileşenler ve taşıyıcılar için özel tantal karbür (TaC) kaplamalar sağlar.Semicera'nın önde gelen kaplama işlemi, tantal karbür (TaC) kaplamaların yüksek saflık, yüksek sıcaklık stabilitesi ve yüksek kimyasal tolerans elde etmesini sağlayarak SIC/GAN kristallerinin ve EPI katmanlarının ürün kalitesini artırır (Grafit kaplı TaC tutucu) ve temel reaktör bileşenlerinin ömrünün uzatılması.Tantal karbür TaC kaplamanın kullanımı, kenar problemini çözmek ve kristal büyüme kalitesini arttırmaktır ve Semicera, tantal karbür kaplama teknolojisini (CVD) çözerek uluslararası ileri seviyeye ulaşarak çığır açmıştır.
Grafit yüksek sıcaklıkta mükemmel bir malzemedir, ancak yüksek sıcaklıklarda kolayca oksitlenir.İnert gazlı vakumlu fırınlarda bile yavaş oksidasyona uğrayabilir.CVD tantal karbür (TaC) kaplamanın kullanılması, grafit alt tabakayı etkili bir şekilde koruyabilir ve grafit ile aynı yüksek sıcaklık direncini sağlayabilir.TaC aynı zamanda inert bir malzemedir, yani yüksek sıcaklıklarda argon veya hidrojen gibi gazlarla reaksiyona girmeyecektir.SorguTantal Karbür CVD Kaplama Pota Şimdi!
Yıllar süren geliştirme sürecinin ardından Semicera, teknolojiyi fethettiCVD TaCAr-Ge departmanının ortak çabaları ile.SiC levhaların büyüme sürecinde kusurların oluşması kolaydır, ancak kullanımdan sonraTaCfark önemlidir.Aşağıda TaC içeren ve içermeyen gofretlerin yanı sıra tek kristal büyümesi için Simicera parçalarının bir karşılaştırması bulunmaktadır.
TaC ile ve TaC olmadan
TaC kullandıktan sonra (sağda)
Ayrıca Semicera'nınTaC kaplı ürünlerkarşılaştırıldığında daha uzun bir servis ömrü ve daha fazla yüksek sıcaklık direnci sergiler.SiC kaplamalar.Laboratuvar ölçümleri şunu gösterdi:TaC kaplamalarUzun süre boyunca 2300 santigrat dereceye kadar sıcaklıklarda tutarlı bir şekilde performans gösterebilir.Aşağıda örneklerimizden bazı örnekleri bulabilirsiniz:
