Semicera, çeşitli bileşenler ve taşıyıcılar için özel tantal karbür (TaC) kaplamalar sağlar.Semicera'nın önde gelen kaplama işlemi, tantal karbür (TaC) kaplamaların yüksek saflık, yüksek sıcaklık stabilitesi ve yüksek kimyasal tolerans elde etmesini sağlayarak SIC/GAN kristallerinin ve EPI katmanlarının ürün kalitesini artırır (Grafit kaplı TaC tutucu) ve temel reaktör bileşenlerinin ömrünün uzatılması.Tantal karbür TaC kaplamanın kullanımı, kenar problemini çözmek ve kristal büyüme kalitesini arttırmaktır ve Semicera, tantal karbür kaplama teknolojisini (CVD) çözerek uluslararası ileri seviyeye ulaşarak çığır açmıştır.
Silisyum karbür (SiC), üçüncü nesil yarı iletkenlerde önemli bir malzemedir, ancak verim oranı endüstrinin büyümesi için sınırlayıcı bir faktör olmuştur.Semicera'nın laboratuvarlarında yapılan kapsamlı testlerden sonra püskürtülmüş ve sinterlenmiş TaC'nin gerekli saflık ve tekdüzelikten yoksun olduğu bulunmuştur.Bunun aksine, CVD prosesi 5 PPM'lik bir saflık seviyesi ve mükemmel bir homojenlik sağlar.CVD TaC kullanımı, silisyum karbür levhaların verim oranını önemli ölçüde artırır.Tartışmaları memnuniyetle karşılıyoruzTaC Kaplamalı Grafit Üç Segmentli Halkalar SiC levhaların maliyetlerini daha da azaltmak için.
Yıllar süren geliştirme sürecinin ardından Semicera, teknolojiyi fethettiCVD TaCAr-Ge departmanının ortak çabaları ile.SiC levhaların büyüme sürecinde kusurların oluşması kolaydır, ancak kullanımdan sonraTaCfark önemlidir.Aşağıda TaC içeren ve içermeyen gofretlerin yanı sıra tek kristal büyümesi için Simicera parçalarının bir karşılaştırması bulunmaktadır.
TaC ile ve TaC olmadan
TaC kullandıktan sonra (sağda)
Ayrıca Semicera'nınTaC kaplı ürünlerkarşılaştırıldığında daha uzun bir servis ömrü ve daha fazla yüksek sıcaklık direnci sergiler.SiC kaplamalar.Laboratuvar ölçümleri şunu gösterdi:TaC kaplamalarUzun süre boyunca 2300 santigrat dereceye kadar sıcaklıklarda tutarlı bir şekilde performans gösterebilir.Aşağıda örneklerimizden bazı örnekleri bulabilirsiniz:
