Silisyum Karbür SiC Kaplamalı Isıtıcılar

Kısa Açıklama:

Silisyum karbür ısıtıcı, metal oksit ile kaplanmıştır, yani, bir radyasyon elemanı olarak uzak kızılötesi boya silikon karbür plaka, eleman deliğinde (veya oyukta) elektrikli ısıtma teline, silikon karbür plakanın altına daha kalın yalıtım, refrakter konur , ısı yalıtım malzemesi ve daha sonra metal kabuk üzerine monte edilen terminal, güç kaynağını bağlamak için kullanılabilir.

Silisyum karbür ısıtıcının uzak kızılötesi ışını nesneye yayıldığında emebilir, yansıtabilir ve geçebilir. Isıtılmış ve kurutulmuş malzeme, iç ve yüzey moleküllerinin belirli bir derinliğinde uzak kızılötesi radyasyon enerjisini aynı anda emer, kendi kendine ısınma etkisi yaratır, böylece solvent veya su molekülleri eşit şekilde buharlaşır ve ısıtılır, böylece deformasyon ve niteliksel değişim önlenir. Farklı derecelerdeki termal genleşme nedeniyle malzemenin görünümü, fiziksel ve mekanik özellikleri, haslığı ve rengi bozulmadan kalır.


Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Tanım

Firmamız grafit, seramik ve diğer malzemelerin yüzeyinde CVD yöntemiyle SiC kaplama proses hizmetleri vermekte, böylece karbon ve silikon içeren özel gazlar yüksek sıcaklıkta reaksiyona girerek yüksek saflıkta SiC molekülleri, kaplanan malzemelerin yüzeyinde biriken moleküller elde edilmektedir. SIC koruyucu tabakasını oluşturur.

SiC Isıtma Elemanı (17)
SiC Isıtma Elemanı (22)
SiC Isıtma Elemanı (23)

Ana Özellikler

1. Yüksek sıcaklıkta oksidasyon direnci:
Sıcaklık 1600 C'ye kadar çıktığında oksidasyon direnci hala çok iyidir.
2. Yüksek saflık: yüksek sıcaklıkta klorlama koşulu altında kimyasal buhar biriktirme ile yapılır.
3. Erozyon direnci: yüksek sertlik, kompakt yüzey, ince parçacıklar.
4. Korozyon direnci: asit, alkali, tuz ve organik reaktifler.

CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri

SiC-CVD Özellikleri

Kristal Yapısı FCC β fazı
Yoğunluk g/cm³ 3.21
Sertlik Vickers sertliği 2500
Tane Boyutu μm 2~10
Kimyasal Saflık % 99.99995
Isı Kapasitesi J·kg-1 ·K-1 640
Süblimleşme Sıcaklığı °C 2700
Feleksural Dayanım MPa (RT 4 nokta) 415
Young Modülü Gpa (4pt viraj, 1300°C) 430
Termal Genleşme (CTE) 10-6K-1 4.5
Isı iletkenliği (W/mK) 300
Semicera İş yeri
Semicera iş yeri 2
Ekipman makinesi
CNN işleme, kimyasal temizleme, CVD kaplama
Semicera Depo Binası
Hizmetimiz

  • Öncesi:
  • Sonraki: