Tanım
Semicorex'in MOCVD (Metal-Organik Kimyasal Buhar Biriktirme) için SiC Gofret Tutucuları, epitaksiyel biriktirme işlemlerinin kesin taleplerini karşılamak üzere tasarlanmıştır. Yüksek kaliteli Silisyum Karbür (SiC) kullanan bu tutucular, yüksek sıcaklık ve aşındırıcı ortamlarda benzersiz dayanıklılık ve performans sunarak yarı iletken malzemelerin hassas ve verimli bir şekilde büyümesini sağlar.
Temel Özellikler:
1. Üstün Malzeme ÖzellikleriYüksek dereceli SiC'den üretilen levha tutucularımız olağanüstü termal iletkenlik ve kimyasal direnç sergiler. Bu özellikler, yüksek sıcaklıklar ve aşındırıcı gazlar da dahil olmak üzere MOCVD proseslerinin zorlu koşullarına dayanabilmelerini sağlayarak uzun ömürlülük ve güvenilir performans sağlar.
2. Epitaksiyel Biriktirmede HassasiyetSiC Gofret Süseptörlerimizin hassas mühendisliği, gofret yüzeyi boyunca eşit sıcaklık dağılımı sağlayarak tutarlı ve yüksek kaliteli epitaksiyel katman büyümesini kolaylaştırır. Bu hassasiyet, optimum elektriksel özelliklere sahip yarı iletkenlerin üretilmesi için kritik öneme sahiptir.
3. Geliştirilmiş DayanıklılıkSağlam SiC malzemesi, zorlu proses ortamlarına sürekli maruz kalındığında bile aşınma ve bozulmaya karşı mükemmel direnç sağlar. Bu dayanıklılık, suseptör değiştirme sıklığını azaltarak arıza süresini ve işletme maliyetlerini en aza indirir.
Uygulamalar:
Semicorex'in MOCVD için SiC Gofret Tutucuları aşağıdakiler için idealdir:
• Yarı iletken malzemelerin epitaksiyel büyümesi
• Yüksek sıcaklıkta MOCVD işlemleri
• GaN, AlN ve diğer bileşik yarı iletkenlerin üretimi
• Gelişmiş yarı iletken üretim uygulamaları
CVD-SIC Kaplamaların Ana Özellikleri:
Faydalar:
•Yüksek Hassasiyet: Düzgün ve kaliteli epitaksiyel büyüme sağlar.
•Uzun Ömürlü Performans: Olağanüstü dayanıklılık, değiştirme sıklığını azaltır.
• Maliyet Verimliliği: Arıza sürelerinin ve bakımın azaltılması sayesinde işletme maliyetlerini en aza indirir.
•Çok yönlülük: Çeşitli MOCVD proses gereksinimlerine uyacak şekilde özelleştirilebilir.
