Tanım
Semicera GaN Epitaksi Taşıyıcı, modern yarı iletken üretiminin zorlu taleplerini karşılamak için titizlikle tasarlanmıştır. Yüksek kaliteli malzemeler ve hassas mühendislik temeline sahip bu taşıyıcı, olağanüstü performansı ve güvenilirliğiyle öne çıkıyor. Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) Silisyum Karbür (SiC) kaplamanın entegrasyonu üstün dayanıklılık, termal verimlilik ve koruma sağlar ve bu da onu endüstri profesyonelleri için tercih edilen bir seçim haline getirir.
Temel Özellikler
1. Olağanüstü DayanıklılıkGaN Epitaksi Taşıyıcı üzerindeki CVD SiC kaplama, aşınma ve yıpranmaya karşı direncini artırarak çalışma ömrünü önemli ölçüde uzatır. Bu sağlamlık, zorlu üretim ortamlarında bile tutarlı performans sağlayarak sık sık değiştirme ve bakım ihtiyacını azaltır.
2. Üstün Isı VerimliliğiYarı iletken üretiminde termal yönetim kritik öneme sahiptir. GaN Epitaksi Taşıyıcının gelişmiş termal özellikleri, epitaksiyel büyüme süreci sırasında optimum sıcaklık koşullarını koruyarak verimli ısı dağılımını kolaylaştırır. Bu verimlilik yalnızca yarı iletken levhaların kalitesini artırmakla kalmaz, aynı zamanda genel üretim verimliliğini de artırır.
3. Koruyucu YeteneklerSiC kaplama kimyasal korozyona ve termal şoklara karşı güçlü koruma sağlar. Bu, taşıyıcının bütünlüğünün üretim süreci boyunca korunmasını sağlar, hassas yarı iletken malzemeleri korur ve üretim sürecinin genel verimini ve güvenilirliğini artırır.
Teknik Özellikler :
Uygulamalar:
Semicorex GaN Epitaksi Taşıyıcı, aşağıdakiler de dahil olmak üzere çeşitli yarı iletken üretim süreçleri için idealdir:
• GaN epitaksiyel büyüme
• Yüksek sıcaklıkta yarı iletken işlemler
• Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD)
• Diğer gelişmiş yarı iletken üretim uygulamaları
