Si Epitaksi

Kısa Açıklama:

Si Epitaksi– Gelişmiş yarı iletken uygulamalar için hassas şekilde büyütülmüş silikon katmanlar sunan Semicera'nın Si Epitaxy'si ile üstün cihaz performansı elde edin.


Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Semicerayüksek kalitesini tanıtıyorSi EpitaksiGünümüzün yarı iletken endüstrisinin katı standartlarını karşılamak üzere tasarlanmış hizmetler. Epitaksiyel silikon katmanlar, elektronik cihazların performansı ve güvenilirliği açısından kritik öneme sahiptir ve Si Epitaksi çözümlerimiz, bileşenlerinizin optimum işlevselliğe ulaşmasını sağlar.

Hassas Şekilde Büyütülmüş Silikon Katmanlar Semicerayüksek performanslı cihazların temelinin kullanılan malzemelerin kalitesinde yattığının bilincindedir. BizimSi Epitaksiolağanüstü tekdüzelik ve kristal bütünlüğüne sahip silikon katmanları üretmek için süreç titizlikle kontrol edilir. Bu katmanlar, tutarlılık ve güvenilirliğin en önemli olduğu mikroelektroniklerden gelişmiş güç cihazlarına kadar çeşitli uygulamalar için gereklidir.

Cihaz Performansı için Optimize EdildiSi EpitaksiSemicera tarafından sunulan hizmetler, cihazlarınızın elektriksel özelliklerini geliştirmek üzere özel olarak tasarlanmıştır. Düşük kusur yoğunluğuna sahip yüksek saflıkta silikon katmanlar yetiştirerek bileşenlerinizin gelişmiş taşıyıcı hareketliliği ve minimum elektrik direnciyle en iyi performansı göstermesini sağlıyoruz. Bu optimizasyon, modern teknolojinin talep ettiği yüksek hız ve yüksek verimlilik özelliklerine ulaşmak için kritik öneme sahiptir.

Uygulamalarda Çok Yönlülük Semicera'SSi EpitaksiCMOS transistörlerinin, güç MOSFET'lerinin ve bipolar bağlantı transistörlerinin üretimi de dahil olmak üzere çok çeşitli uygulamalar için uygundur. Esnek sürecimiz, ister yüksek frekanslı uygulamalar için ince katmanlara ister güç cihazları için daha kalın katmanlara ihtiyacınız olsun, projenizin özel gereksinimlerine göre özelleştirmeye olanak tanır.

Üstün Malzeme KalitesiKalite, Semicera'da yaptığımız her şeyin merkezinde yer alır. BizimSi EpitaksiProseste, her silikon katmanın en yüksek saflık ve yapısal bütünlük standartlarını karşılamasını sağlamak için en son teknoloji ekipman ve teknikler kullanılır. Detaylara gösterilen bu dikkat, cihaz performansını etkileyebilecek kusurların oluşumunu en aza indirerek daha güvenilir ve daha uzun ömürlü bileşenler sağlar.

Yenilik Taahhüdü Semicerayarı iletken teknolojisinde ön sıralarda yer almaya kararlıdır. BizimSi EpitaksiHizmetler, epitaksiyel büyüme tekniklerindeki en son gelişmeleri birleştirerek bu kararlılığı yansıtmaktadır. Endüstrinin gelişen ihtiyaçlarını karşılayan silikon katmanlar sunmak ve ürünlerinizin pazarda rekabetçi kalmasını sağlamak için süreçlerimizi sürekli olarak geliştiriyoruz.

İhtiyaçlarınıza Özel ÇözümlerHer projenin benzersiz olduğunu anlayarak,Semiceraözelleştirilmiş tekliflerSi Epitaksiözel ihtiyaçlarınızı karşılayacak çözümler. İster özel doping profillerine, ister katman kalınlıklarına, ister yüzey kaplamalarına ihtiyacınız olsun, ekibimiz, kesin spesifikasyonlarınızı karşılayan bir ürün sunmak için sizinle yakın işbirliği içinde çalışır.

Öğeler

Üretme

Araştırma

kukla

Kristal Parametreleri

Politip

4H

Yüzey yönlendirme hatası

<11-20 >4±0,15°

Elektriksel Parametreler

katkı maddesi

n-tipi Azot

Direnç

0,015-0,025ohm·cm

Mekanik Parametreler

Çap

150,0±0,2 mm

Kalınlık

350±25 mikron

Birincil düz yönlendirme

[1-100]±5°

Birincil düz uzunluk

47,5±1,5 mm

İkincil daire

Hiçbiri

TTV

≤5 mikron

≤10 mikron

≤15 mikron

YBD

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Yay

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Çözgü

≤35 mikron

≤45 mikron

≤55 mikron

Ön (Si-yüz) pürüzlülük (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Yapı

Mikro boru yoğunluğu

<1 adet/cm2

<10 adet/cm2

<15 adet/cm2

Metal yabancı maddeleri

≤5E10atom/cm2

NA

BPD

≤1500 adet/cm2

≤3000 adet/cm2

NA

TSD

≤500 adet/cm2

≤1000 adet/cm2

NA

Ön Kalite

Ön

Si

Yüzey kalitesi

Si-yüzlü CMP

Parçacıklar

≤60ea/wafer (boyut≥0,3μm)

NA

çizikler

≤5 adet/mm. Kümülatif uzunluk ≤Çap

Kümülatif uzunluk≤2*Çap

NA

Portakal kabuğu/çukurlar/lekeler/çizgiler/çatlaklar/kirlilik

Hiçbiri

NA

Kenar talaşları/girintiler/kırık/altıgen plakalar

Hiçbiri

Çok tipli alanlar

Hiçbiri

Kümülatif alan≤%20

Kümülatif alan≤30%

Ön lazer markalama

Hiçbiri

Arka Kalite

Arka kaplama

C-yüzlü CMP

çizikler

≤5ea/mm, Kümülatif uzunluk≤2*Çap

NA

Sırt kusurları (kenar talaşları/girintiler)

Hiçbiri

Sırt pürüzlülüğü

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Arka lazer markalama

1 mm (üst kenardan)

Kenar

Kenar

Pah

Ambalajlama

Ambalajlama

Vakumlu paketleme ile epi-hazır

Çoklu gofret kaset ambalajı

*Notlar: "NA" talep olmadığı anlamına gelir. Belirtilmeyen öğeler YARI-STD'ye atıfta bulunabilir.

tech_1_2_size
SiC gofretleri

  • Öncesi:
  • Sonraki: