Semicerayüksek kalitesini tanıtıyorSi EpitaksiGünümüzün yarı iletken endüstrisinin katı standartlarını karşılamak üzere tasarlanmış hizmetler. Epitaksiyel silikon katmanlar, elektronik cihazların performansı ve güvenilirliği açısından kritik öneme sahiptir ve Si Epitaksi çözümlerimiz, bileşenlerinizin optimum işlevselliğe ulaşmasını sağlar.
Hassas Şekilde Büyütülmüş Silikon Katmanlar Semicerayüksek performanslı cihazların temelinin kullanılan malzemelerin kalitesinde yattığının bilincindedir. BizimSi Epitaksiolağanüstü tekdüzelik ve kristal bütünlüğüne sahip silikon katmanları üretmek için süreç titizlikle kontrol edilir. Bu katmanlar, tutarlılık ve güvenilirliğin en önemli olduğu mikroelektroniklerden gelişmiş güç cihazlarına kadar çeşitli uygulamalar için gereklidir.
Cihaz Performansı için Optimize EdildiSi EpitaksiSemicera tarafından sunulan hizmetler, cihazlarınızın elektriksel özelliklerini geliştirmek üzere özel olarak tasarlanmıştır. Düşük kusur yoğunluğuna sahip yüksek saflıkta silikon katmanlar yetiştirerek bileşenlerinizin gelişmiş taşıyıcı hareketliliği ve minimum elektrik direnciyle en iyi performansı göstermesini sağlıyoruz. Bu optimizasyon, modern teknolojinin talep ettiği yüksek hız ve yüksek verimlilik özelliklerine ulaşmak için kritik öneme sahiptir.
Uygulamalarda Çok Yönlülük Semicera'SSi EpitaksiCMOS transistörlerinin, güç MOSFET'lerinin ve bipolar bağlantı transistörlerinin üretimi de dahil olmak üzere çok çeşitli uygulamalar için uygundur. Esnek sürecimiz, ister yüksek frekanslı uygulamalar için ince katmanlara ister güç cihazları için daha kalın katmanlara ihtiyacınız olsun, projenizin özel gereksinimlerine göre özelleştirmeye olanak tanır.
Üstün Malzeme KalitesiKalite, Semicera'da yaptığımız her şeyin merkezinde yer alır. BizimSi EpitaksiProseste, her silikon katmanın en yüksek saflık ve yapısal bütünlük standartlarını karşılamasını sağlamak için en son teknoloji ekipman ve teknikler kullanılır. Detaylara gösterilen bu dikkat, cihaz performansını etkileyebilecek kusurların oluşumunu en aza indirerek daha güvenilir ve daha uzun ömürlü bileşenler sağlar.
Yenilik Taahhüdü Semicerayarı iletken teknolojisinde ön saflarda yer almaya kararlıdır. BizimSi EpitaksiHizmetler, epitaksiyel büyüme tekniklerindeki en son gelişmeleri birleştirerek bu kararlılığı yansıtmaktadır. Endüstrinin gelişen ihtiyaçlarını karşılayan silikon katmanlar sunmak ve ürünlerinizin pazarda rekabetçi kalmasını sağlamak için süreçlerimizi sürekli olarak geliştiriyoruz.
İhtiyaçlarınıza Özel ÇözümlerHer projenin benzersiz olduğunu anlayarak,Semiceraözelleştirilmiş tekliflerSi Epitaksiözel ihtiyaçlarınızı karşılayacak çözümler. İster özel doping profillerine, ister katman kalınlıklarına, ister yüzey kaplamalarına ihtiyacınız olsun, ekibimiz, kesin spesifikasyonlarınızı karşılayan bir ürün sunmak için sizinle yakın işbirliği içinde çalışır.
Öğeler | Üretme | Araştırma | kukla |
Kristal Parametreleri | |||
Politip | 4H | ||
Yüzey yönlendirme hatası | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektriksel Parametreler | |||
katkı maddesi | n-tipi Azot | ||
Direnç | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Mekanik Parametreler | |||
Çap | 150,0±0,2 mm | ||
Kalınlık | 350±25 mikron | ||
Birincil düz yönlendirme | [1-100]±5° | ||
Birincil düz uzunluk | 47,5±1,5 mm | ||
İkincil daire | Hiçbiri | ||
TTV | ≤5 mikron | ≤10 mikron | ≤15 mikron |
YBD | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Yay | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Çözgü | ≤35 mikron | ≤45 mikron | ≤55 mikron |
Ön (Si-yüz) pürüzlülük (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Yapı | |||
Mikro boru yoğunluğu | <1 adet/cm2 | <10 adet/cm2 | <15 adet/cm2 |
Metal yabancı maddeleri | ≤5E10atom/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 adet/cm2 | ≤3000 adet/cm2 | NA |
TSD | ≤500 adet/cm2 | ≤1000 adet/cm2 | NA |
Ön Kalite | |||
Ön | Si | ||
Yüzey kalitesi | Si-yüzlü CMP | ||
Parçacıklar | ≤60ea/wafer (boyut≥0,3μm) | NA | |
çizikler | ≤5 adet/mm. Kümülatif uzunluk ≤Çap | Kümülatif uzunluk≤2*Çap | NA |
Portakal kabuğu/çukurlar/lekeler/çizgiler/çatlaklar/kirlilik | Hiçbiri | NA | |
Kenar talaşları/girintiler/kırık/altıgen plakalar | Hiçbiri | ||
Çok tipli alanlar | Hiçbiri | Kümülatif alan≤%20 | Kümülatif alan≤30% |
Ön lazer markalama | Hiçbiri | ||
Arka Kalite | |||
Arka kaplama | C-yüzlü CMP | ||
çizikler | ≤5ea/mm, Kümülatif uzunluk≤2*Çap | NA | |
Sırt kusurları (kenar talaşları/girintiler) | Hiçbiri | ||
Sırt pürüzlülüğü | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Arka lazer markalama | 1 mm (üst kenardan) | ||
Kenar | |||
Kenar | Pah | ||
Ambalajlama | |||
Ambalajlama | Vakumlu paketleme ile epi-hazır Çoklu gofret kaset ambalajı | ||
*Notlar: "NA" talep olmadığı anlamına gelir. Belirtilmeyen öğeler YARI-STD'ye atıfta bulunabilir. |