CVD Toplu Silisyum Karbür (SiC)
Genel bakış:CVDtoplu silisyum karbür (SiC)plazma gravür ekipmanlarında, hızlı termal işlem (RTP) uygulamalarında ve diğer yarı iletken üretim süreçlerinde oldukça aranan bir malzemedir. Olağanüstü mekanik, kimyasal ve termal özellikleri, onu yüksek hassasiyet ve dayanıklılık gerektiren ileri teknoloji uygulamaları için ideal bir malzeme haline getirir.
CVD Bulk SiC Uygulamaları:Toplu SiC, yarı iletken endüstrisinde, özellikle de odak halkaları, gaz duş başlıkları, kenar halkaları ve plakalar gibi bileşenlerin SiC'nin olağanüstü korozyon direncinden ve termal iletkenliğinden yararlandığı plazma aşındırma sistemlerinde çok önemlidir. Kullanımı aşağıdakilere kadar uzanır:RTPSiC'nin önemli bir bozulma olmaksızın hızlı sıcaklık dalgalanmalarına dayanma kabiliyeti nedeniyle sistemler.
Aşındırma ekipmanına ek olarak CVDtoplu SiCYüksek termal stabilite ve zorlu kimyasal ortamlara karşı direncin gerekli olduğu difüzyon fırınlarında ve kristal büyütme proseslerinde tercih edilir. Bu özellikler SiC'yi yüksek sıcaklıklar ve klor ve flor içerenler gibi aşındırıcı gazlar içeren yüksek talepli uygulamalar için tercih edilen malzeme haline getirir.
CVD Bulk SiC Bileşenlerinin Avantajları:
•Yüksek Yoğunluk:3,2 g/cm³ yoğunluğa sahip,CVD toplu SiCBileşenler aşınmaya ve mekanik darbelere karşı oldukça dayanıklıdır.
•Üstün Isı İletkenliği:300 W/m·K termal iletkenlik sunan toplu SiC, ısıyı verimli bir şekilde yönetir ve bu da onu aşırı termal döngülere maruz kalan bileşenler için ideal kılar.
•Olağanüstü Kimyasal Direnç:SiC'nin, klor ve flor bazlı kimyasallar dahil aşındırma gazlarıyla düşük reaktivitesi, daha uzun bileşen ömrü sağlar.
•Ayarlanabilir Direnç: CVD toplu SiC'lerdirenç 10⁻²–10⁴ Ω-cm aralığında özelleştirilebilir, bu da onu belirli gravür ve yarı iletken üretim ihtiyaçlarına uyarlanabilir hale getirir.
•Termal Genleşme Katsayısı:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C) termal genleşme katsayısıyla CVD toplu SiC, hızlı ısıtma ve soğutma döngüleri sırasında bile boyutsal kararlılığı koruyarak termal şoka karşı direnç gösterir.
•Plazmada Dayanıklılık:Yarı iletken işlemlerde plazma ve reaktif gazlara maruz kalmak kaçınılmazdır, ancakCVD toplu SiCKorozyona ve bozulmaya karşı üstün direnç sunarak değiştirme sıklığını ve genel bakım maliyetlerini azaltır.
Teknik Özellikler:
•Çap:305 mm'den büyük
•Direnç:10⁻²–10⁴ Ω-cm aralığında ayarlanabilir
•Yoğunluk:3,2 g/cm³
•Isı İletkenliği:300 W/m·K
•Termal Genleşme Katsayısı:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Özelleştirme ve Esneklik:Şu tarihte:Semicera Yarıiletken, her yarı iletken uygulamasının farklı özellikler gerektirebileceğinin bilincindeyiz. Bu nedenle CVD toplu SiC bileşenlerimiz, ekipman ihtiyaçlarınıza uyacak şekilde ayarlanabilir direnç ve özel boyutlarla tamamen özelleştirilebilir. İster plazma aşındırma sistemlerinizi optimize ediyor ister RTP veya difüzyon süreçlerinde dayanıklı bileşenler arıyor olun, CVD toplu SiC ürünümüz benzersiz bir performans sunar.
