Temel bileşenlerinden biri olarakMOCVD ekipmanıGrafit bazı, film malzemesinin tekdüzeliğini ve saflığını doğrudan belirleyen alt tabakanın taşıyıcısı ve ısıtma gövdesidir, dolayısıyla kalitesi epitaksiyel tabakanın hazırlanmasını doğrudan etkiler ve aynı zamanda sayısının artmasıyla birlikte kullanım ve çalışma koşullarının değişmesi, giyilmesi çok kolay, sarf malzemelerine ait.
Grafit mükemmel termal iletkenliğe ve kararlılığa sahip olmasına rağmen, temel bileşen olarak iyi bir avantaja sahiptir.MOCVD ekipmanıancak üretim sürecinde grafit, aşındırıcı gazların ve metalik organiklerin kalıntıları nedeniyle tozu aşındıracak ve grafit bazın hizmet ömrü büyük ölçüde azalacaktır.Aynı zamanda düşen grafit tozu talaşın kirlenmesine neden olacaktır.
Kaplama teknolojisinin ortaya çıkışı, yüzey tozunun sabitlenmesini sağlayabilir, ısı iletkenliğini artırabilir ve ısı dağılımını eşitleyebilir ve bu, bu sorunu çözecek ana teknoloji haline gelmiştir.Grafit bazlıMOCVD ekipmanıkullanım ortamı, grafit bazlı yüzey kaplaması aşağıdaki özellikleri karşılamalıdır:
(1) Grafit taban tamamen sarılabilir ve yoğunluk iyidir, aksi takdirde grafit tabanın aşındırıcı gazda paslanması kolaydır.
(2) Grafit bazlı kombinasyon mukavemeti, birkaç yüksek sıcaklık ve düşük sıcaklık döngüsünden sonra kaplamanın düşmesinin kolay olmamasını sağlamak için yüksektir.
(3) Yüksek sıcaklık ve aşındırıcı atmosferde kaplama arızasını önlemek için iyi bir kimyasal stabiliteye sahiptir.
SiC, korozyon direnci, yüksek termal iletkenlik, termal şok direnci ve yüksek kimyasal stabilite avantajlarına sahiptir ve GaN epitaksiyel atmosferinde iyi çalışabilir.Ayrıca SiC'nin termal genleşme katsayısı grafitinkinden çok az farklılık gösterir, bu nedenle SiC, grafit bazın yüzey kaplaması için tercih edilen malzemedir.
Şu anda yaygın olarak kullanılan SiC esas olarak 3C, 4H ve 6H tipindedir ve farklı kristal türlerinin SiC kullanımları farklıdır.Örneğin 4H-SiC, yüksek güçlü cihazlar üretebilir;6H-SiC en kararlı olanıdır ve fotoelektrik cihazlar üretebilir;GaN'ye benzer yapısı nedeniyle 3C-SiC, GaN epitaksiyel katman üretmek ve SiC-GaN RF cihazları üretmek için kullanılabilir.3C-SiC aynı zamanda yaygın olarak şu şekilde de bilinir:β-SiC ve önemli bir kullanımıβ-SiC film ve kaplama malzemesi olduğundanβ-SiC şu anda kaplama için ana malzemedir.
Gönderim zamanı: Kasım-06-2023