Solar Gofret İçin Uzun Hizmet Ömrü SiC Kaplamalı Grafit Taşıyıcı

Kısa Açıklama:

Silisyum karbür, yüksek maliyet performansına ve mükemmel malzeme özelliklerine sahip yeni bir seramik türüdür.Silisyum Karbür, yüksek mukavemet ve sertlik, yüksek sıcaklık dayanımı, mükemmel ısı iletkenliği ve kimyasal korozyon direnci gibi özellikleri nedeniyle neredeyse tüm kimyasal ortamlara dayanabilir.Bu nedenle SiC, petrol madenciliği, kimya, makine ve hava sahasında, hatta nükleer enerjide yaygın olarak kullanılmaktadır ve ordunun SIC'den özel talepleri vardır.Sunabileceğimiz bazı normal uygulamalar pompa, valf ve koruyucu zırh vb. için conta halkalarıdır.


Ürün ayrıntısı

Ürün etiketleri

Avantajları

Yüksek sıcaklıkta oksidasyon direnci
Mükemmel Korozyon direnci
İyi Aşınma direnci
Yüksek ısı iletkenlik katsayısı
Kendinden yağlamalı, düşük yoğunluklu
Yüksek sertlik
Özelleştirilmiş tasarım.

HGF (2)
HGF (1)

Uygulamalar

-Aşınmaya dayanıklı Alan: burç, plaka, kumlama nozulu, siklon astarı, taşlama namlusu vb.
-Yüksek Sıcaklık Alanı: siC Döşeme, Söndürme Fırını Borusu, Radyant Boru, pota, Isıtma Elemanı, Rulo, Kiriş, Eşanjör, Soğuk Hava Borusu, Brülör Nozulu, Termokupl Koruma Borusu, SiC teknesi, Fırın arabası Yapısı, Ayarlayıcı, vb.
-Silisyum Karbür Yarı İletken: SiC gofret teknesi, sic aynası, sic kürek, sic kaseti, sic difüzyon tüpü, gofret çatalı, emme plakası, kılavuz yolu vb.
-Silisyum Karbür Conta Alanı: her türlü sızdırmazlık halkası, yatak, burç vb.
-Fotovoltaik Alan: Konsol Kürek, Taşlama Namlusu, Silisyum Karbür Rulo, vb.
-Lityum Pil Alanı

GOFRET (1)

GOFRET (2)

SiC'nin Fiziksel Özellikleri

Mülk Değer Yöntem
Yoğunluk 3,21 gr/cc Lavabo-şamandıra ve boyut
Özısı 0,66 J/g°K Darbeli lazer flaşı
Bükülme mukavemeti 450 MPa560 MPa 4 noktalı büküm, RT4 noktalı büküm, 1300°
Kırılma tokluğu 2,94 MPa m1/2 Mikro girinti
Sertlik 2800 Vicker's, 500g yük
Elastik ModülYoung Modülü 450 GPa430 GPa 4 noktalı büküm, RT4 noktalı büküm, 1300 °C
Tane büyüklüğü 2 – 10 mikron SEM

SiC'nin Termal Özellikleri

Termal iletkenlik 250 W/m°K Lazer flaş yöntemi, RT
Termal Genleşme (CTE) 4,5 x 10-6°K Oda sıcaklığı 950 °C'ye kadar, silika dilatometre

Teknik parametreler

Öğe Birim Veri
RBSiC(SiSiC) NBSiC SSiC RSiC OSiC
SiC içeriği % 85 75 99 99.9 ≥99
Serbest silikon içeriği % 15 0 0 0 0
Maksimum servis sıcaklığı °C 1380 1450 1650 1620 1400
Yoğunluk g/cm3 3.02 2,75-2,85 3.08-3.16 2.65-2.75 2,75-2,85
Açık gözeneklilik % 0 13-15 0 15-18 7-8
Bükülme mukavemeti 20°C MPa 250 160 380 100 /
Bükülme mukavemeti 1200°C MPa 280 180 400 120 /
Esneklik modülü 20°C not ortalaması 330 580 420 240 /
Esneklik Modülü 1200°C not ortalaması 300 / / 200 /
Isı iletkenliği 1200°C W/mK 45 19.6 100-120 36.6 /
Termal Genleşme katsayısı K-1X10-6 4.5 4.7 4.1 4.69 /
HV kg/mm2 2115 / 2800 / /

Yeniden kristalize edilmiş silisyum karbür seramik ürünlerin dış yüzeyindeki CVD silisyum karbür kaplama, yarı iletken endüstrisindeki müşterilerin ihtiyaçlarını karşılamak için %99,9999'un üzerinde bir saflığa ulaşabilmektedir.

Semicera İş yeri
Semicera iş yeri 2
Ekipman makinesi
CNN işleme, kimyasal temizleme, CVD kaplama
Servisimiz

  • Öncesi:
  • Sonraki: