InP ve CdTe Substrat

Kısa Açıklama:

Semicera'nın InP ve CdTe Substrat çözümleri, yarı iletken ve güneş enerjisi endüstrilerindeki yüksek performanslı uygulamalar için tasarlanmıştır. InP (İndiyum Fosfit) ve CdTe (Kadmiyum Tellürit) alt katmanlarımız, yüksek verimlilik, mükemmel elektrik iletkenliği ve sağlam termal kararlılık dahil olmak üzere olağanüstü malzeme özellikleri sunar. Bu alt tabakalar gelişmiş optoelektronik cihazlarda, yüksek frekanslı transistörlerde ve ince film güneş pillerinde kullanım için idealdir ve en ileri teknolojiler için güvenilir bir temel sağlar.


Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Semicera'nınki ileInP ve CdTe Substrat, üretim süreçlerinizin özel ihtiyaçlarını karşılamak için üstün kalite ve hassasiyetle tasarlanmış ürünler bekleyebilirsiniz. İster fotovoltaik uygulamalar ister yarı iletken cihazlar için olsun, alt katmanlarımız optimum performans, dayanıklılık ve tutarlılık sağlayacak şekilde üretilmiştir. Güvenilir bir tedarikçi olarak Semicera, elektronik ve yenilenebilir enerji sektörlerinde yeniliği teşvik eden yüksek kaliteli, özelleştirilebilir alt tabaka çözümleri sunmaya kendini adamıştır.

Kristal ve Elektriksel Özellikler1

Tip
katkı maddesi
EPD(cm–2)(Aşağıya bakın A.)
DF(Kusursuz)alan(cm2, Aşağıya bakın B.)
c/(c cm)–3
Hareketlilik (y cm)2/Vs)
Direnç (y Ω・cm)
n
Sn
≦5×104
≦1×104
≦5×103
──────
 

(0,5〜6)×1018
──────
──────
n
S
──────
≧ 10(59,4%)
≧ 15(87%).4
(2〜10)×1018
──────
──────
p
Zn
──────
≧ 10(59,4%)
≧ 15(87%).
(3〜6)×1018
──────
──────
Fe
≦5×104
≦1×104
──────
──────
──────
≧ 1×106
n
hiçbiri
≦5×104
──────
≦1×1016
≧ 4×103
──────
1 Diğer özellikler istek üzerine mevcuttur.

A.13 Puan Ortalaması

1. Dislokasyon aşındırma çukuru yoğunlukları 13 noktada ölçülür.

2. Dislokasyon yoğunluklarının alan ağırlıklı ortalaması hesaplanır.

B.DF Alan Ölçümü (Alan Garantisi Durumunda)

1. Sağda gösterilen 69 noktanın dislokasyon aşındırma çukuru yoğunlukları sayılır.

2. DF, 500 cm'den az EPD olarak tanımlanır–2
3. Bu yöntemle ölçülen maksimum DF alanı 17,25 cm'dir2
InP ve CdTe Substratı (2)
InP ve CdTe Substratı (1)
InP ve CdTe Substratı (3)

InP Tek Kristal Substratların Ortak Özellikleri

1. Oryantasyon
Yüzey yönü (100)±0,2° veya (100)±0,05°
Talep üzerine yüzey dışı yönlendirme mevcuttur.
Düz yönü OF : (011)±1° veya (011)±0,1° IF : (011)±2°
Talep üzerine bölünmüş OF mevcuttur.
2. SEMI standardına dayalı lazer markalama mevcuttur.
3. Bireysel paketin yanı sıra N2 gazı paketi de mevcuttur.
4. N2 gazında dağlama ve paketleme mevcuttur.
5. Dikdörtgen gofretler mevcuttur.
Yukarıdaki spesifikasyon JX standardına aittir.
Başka spesifikasyonlara ihtiyaç varsa lütfen bize danışın.

Oryantasyon

 

InP ve CdTe Substratı (4)(1)
Semicera İş yeri
Semicera iş yeri 2
Ekipman makinesi
CNN işleme, kimyasal temizleme, CVD kaplama
Semicera Depo Binası
Hizmetimiz

  • Öncesi:
  • Sonraki: