Anti-oksidasyon yüksek saflıkta SiC kaplı MOCVD tepsi

Kısa Açıklama:

Semicera Energy Technology Co., Ltd., levha ve gelişmiş yarı iletken sarf malzemeleri konusunda uzmanlaşmış lider bir tedarikçidir.Yarı iletken üretimine yüksek kaliteli, güvenilir ve yenilikçi ürünler sunmaya kendimizi adadık.fotovoltaik endüstrisive diğer ilgili alanlar.

Ürün yelpazemiz, silisyum karbür, silisyum nitrür ve alüminyum oksit vb. gibi çeşitli malzemeleri kapsayan SiC/TaC kaplı grafit ürünleri ve seramik ürünleri içerir.

Güvenilir bir tedarikçi olarak üretim sürecinde sarf malzemelerinin önemini anlıyoruz ve müşterilerimizin ihtiyaçlarını karşılamak için en yüksek kalite standartlarını karşılayan ürünler sunmaya kararlıyız.

Bize e-posta gönder

Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Tanım

Firmamız sağlarSiC kaplamaGrafit, seramik ve diğer malzemelerin yüzeyinde CVD yöntemiyle proses hizmetleri, böylece karbon ve silikon içeren özel gazlar yüksek sıcaklıkta reaksiyona girerek yüksek saflıkta SiC molekülleri, kaplanmış malzemelerin yüzeyinde biriken moleküller elde edilir.SiC koruyucu katman.

Ana Özellikler

1. Yüksek sıcaklıkta oksidasyon direnci:
Sıcaklık 1600 C'ye kadar çıktığında oksidasyon direnci hala çok iyidir.
2. Yüksek saflık: yüksek sıcaklıkta klorlama koşulu altında kimyasal buhar biriktirme ile yapılır.
3. Erozyon direnci: yüksek sertlik, kompakt yüzey, ince parçacıklar.
4. Korozyon direnci: asit, alkali, tuz ve organik reaktifler.

CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri

SiC-CVD Özellikleri
Kristal Yapısı	FCC β fazı
Yoğunluk	g/cm³	3.21
Sertlik	Vickers sertliği	2500
Tane Boyutu	μm	2~10
Kimyasal Saflık	%	99.99995
Isı Kapasitesi	J·kg-1 ·K-1	640
Süblimleşme Sıcaklığı	°C	2700
Feleksural Dayanım	MPa (RT 4 nokta)	415
Young Modülü	Gpa (4pt viraj, 1300°C)	430
Termal Genleşme (CTE)	10-6K-1	4.5
Isı iletkenliği	(W/mK)	300