8 inç n-tipi İletken SiC Substrat, güç elektroniği cihazları için benzersiz bir performans sağlayarak, gelişmiş yarı iletken uygulamalar için mükemmel termal iletkenlik, yüksek arıza voltajı ve mükemmel kalite sağlar. Semicera, özel olarak tasarlanmış 8 inç n tipi İletken SiC Substratı ile sektör lideri çözümler sunar.
Semicera'nın 8 inç n-tipi İletken SiC Substratı, güç elektroniği ve yüksek performanslı yarı iletken uygulamalarının artan taleplerini karşılamak üzere tasarlanmış son teknoloji ürünü bir malzemedir. Alt tabaka, yüksek güç yoğunluğu, termal verimlilik ve güvenilirlik gerektiren cihazlarda eşsiz performans sağlamak için silikon karbür ve n-tipi iletkenliğin avantajlarını birleştirir.
Semicera'nın 8 inç n-tipi İletken SiC Substratı üstün kalite ve tutarlılık sağlamak için özenle üretilmiştir. Verimli ısı dağıtımı için mükemmel termal iletkenliğe sahiptir; bu da onu güç invertörleri, diyotlar ve transistörler gibi yüksek güçlü uygulamalar için ideal kılar. Ek olarak, bu alt tabakanın yüksek arıza voltajı, zorlu koşullara dayanabilmesini sağlayarak yüksek performanslı elektronikler için sağlam bir platform sağlar.
Semicera, 8 inç n-tipi İletken SiC Substrat'ın yarı iletken teknolojisinin ilerlemesinde oynadığı kritik rolün farkındadır. Substratlarımız, verimli cihazların geliştirilmesinde kritik öneme sahip olan minimum kusur yoğunluğunu sağlamak için en son teknolojiye sahip süreçler kullanılarak üretilmektedir. Detaylara gösterilen bu dikkat, daha yüksek performans ve dayanıklılığa sahip yeni nesil elektroniklerin üretimini destekleyen ürünlerin mümkün olmasını sağlar.
8 inç n tipi İletken SiC Substratımız aynı zamanda otomotivden yenilenebilir enerjiye kadar geniş bir uygulama yelpazesinin ihtiyaçlarını karşılamak üzere tasarlanmıştır. n-tipi iletkenlik, verimli güç cihazları geliştirmek için gereken elektriksel özellikleri sağlar ve bu alt tabakayı enerji açısından daha verimli teknolojilere geçişte önemli bir bileşen haline getirir.
Semicera olarak yarı iletken üretiminde yeniliği teşvik eden alt tabakalar sağlamaya kendimizi adadık. 8 inç n tipi İletken SiC Substrat, kalite ve mükemmelliğe olan bağlılığımızın bir kanıtıdır ve müşterilerimizin uygulamaları için mümkün olan en iyi malzemeyi almasını sağlar.
Temel parametreler
| Boyut | 8 inç |
| Çap | 200,0 mm+0 mm/-0,2 mm |
| Yüzey Yönü | eksen dışı:4° <1120>'ye doğru 士0,5° |
| Çentik Yönü | <1100>士1° |
| Çentik Açısı | 90°+5°/-1° |
| Çentik Derinliği | 1 mm+0,25 mm/-0 mm |
| İkincil Daire | / |
| Kalınlık | 500,0±25,0um/350,0±25,0um |
| Politip | 4H |
| İletken Tip | n tipi |
