4 İnç Yüksek Saflıkta Yarı Yalıtımlı HPSI SiC Çift Taraflı Cilalı Gofret Yüzeyi

Kısa Açıklama:

Semicera'nın 4 İnç Yüksek Saflıkta Yarı Yalıtımlı (HPSI) SiC Çift Taraflı Cilalı Gofret Yüzeyleri üstün elektronik performans için hassas bir şekilde tasarlanmıştır. Bu levhalar, gelişmiş yarı iletken uygulamalar için ideal olan mükemmel ısı iletkenliği ve elektrik yalıtımı sağlar. Plaka teknolojisinde benzersiz kalite ve yenilik için Semicera'ya güvenin.


Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Semicera'nın 4 İnç Yüksek Saflıkta Yarı Yalıtımlı (HPSI) SiC Çift Taraflı Cilalı Gofret Yüzeyleri, yarı iletken endüstrisinin zorlu taleplerini karşılamak üzere üretilmiştir. Bu alt tabakalar olağanüstü düzlük ve saflıkla tasarlanmış olup son teknoloji ürünü elektronik cihazlar için en uygun platformu sunar.

Bu HPSI SiC levhalar, üstün ısı iletkenliği ve elektrik yalıtım özellikleriyle öne çıkıyor ve bu da onları yüksek frekanslı ve yüksek güçlü uygulamalar için mükemmel bir seçim haline getiriyor. Çift taraflı cilalama işlemi, cihazın performansını ve ömrünü artırmak için çok önemli olan minimum yüzey pürüzlülüğünü sağlar.

Semicera'nın SiC plakalarının yüksek saflığı, kusurları ve yabancı maddeleri en aza indirerek daha yüksek verim oranlarına ve cihaz güvenilirliğine yol açar. Bu alt tabakalar, mikrodalga cihazları, güç elektroniği ve LED teknolojileri dahil olmak üzere hassasiyet ve dayanıklılığın önemli olduğu çok çeşitli uygulamalar için uygundur.

Yenilik ve kaliteye odaklanan Semicera, modern elektroniğin zorlu gereksinimlerini karşılayan levhalar üretmek için ileri üretim tekniklerini kullanıyor. Çift taraflı cilalama yalnızca mekanik mukavemeti arttırmakla kalmaz, aynı zamanda diğer yarı iletken malzemelerle daha iyi entegrasyonu kolaylaştırır.

Üreticiler, Semicera'nın 4 İnç Yüksek Saflıkta Yarı Yalıtımlı HPSI SiC Çift Taraflı Cilalı Plaka Yüzeylerini seçerek gelişmiş termal yönetim ve elektrik yalıtımının avantajlarından yararlanarak daha verimli ve güçlü elektronik cihazların geliştirilmesinin önünü açabilir. Semicera, kaliteye ve teknolojik ilerlemeye olan bağlılığıyla sektöre liderlik etmeye devam ediyor.

Öğeler

Üretme

Araştırma

kukla

Kristal Parametreleri

Politip

4H

Yüzey yönlendirme hatası

<11-20 >4±0,15°

Elektriksel Parametreler

katkı maddesi

n-tipi Azot

Direnç

0,015-0,025ohm·cm

Mekanik Parametreler

Çap

150,0±0,2 mm

Kalınlık

350±25 mikron

Birincil düz yönlendirme

[1-100]±5°

Birincil düz uzunluk

47,5±1,5 mm

İkincil daire

Hiçbiri

TTV

≤5 mikron

≤10 mikron

≤15 mikron

YBD

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Yay

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Çözgü

≤35 mikron

≤45 mikron

≤55 mikron

Ön (Si-yüz) pürüzlülük (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Yapı

Mikro boru yoğunluğu

<1 adet/cm2

<10 adet/cm2

<15 adet/cm2

Metal yabancı maddeleri

≤5E10atom/cm2

NA

BPD

≤1500 adet/cm2

≤3000 adet/cm2

NA

TSD

≤500 adet/cm2

≤1000 adet/cm2

NA

Ön Kalite

Ön

Si

Yüzey kalitesi

Si-yüzlü CMP

Parçacıklar

≤60ea/wafer (boyut≥0,3μm)

NA

çizikler

≤5 adet/mm. Kümülatif uzunluk ≤Çap

Kümülatif uzunluk≤2*Çap

NA

Portakal kabuğu/çukurlar/lekeler/çizgiler/çatlaklar/kirlilik

Hiçbiri

NA

Kenar talaşları/girintiler/kırık/altıgen plakalar

Hiçbiri

Çok tipli alanlar

Hiçbiri

Kümülatif alan≤%20

Kümülatif alan≤30%

Ön lazer markalama

Hiçbiri

Arka Kalite

Arka kaplama

C-yüzlü CMP

çizikler

≤5ea/mm, Kümülatif uzunluk≤2*Çap

NA

Sırt kusurları (kenar talaşları/girintiler)

Hiçbiri

Sırt pürüzlülüğü

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Arka lazer markalama

1 mm (üst kenardan)

Kenar

Kenar

Pah

Ambalajlama

Ambalajlama

Vakumlu paketleme ile epi-hazır

Çoklu gofret kaset ambalajı

*Notlar: "NA" talep olmadığı anlamına gelir. Belirtilmeyen öğeler YARI-STD'ye atıfta bulunabilir.

tech_1_2_size
SiC gofretleri

  • Öncesi:
  • Sonraki: