4″ 6″ Yarı Yalıtımlı SiC Substrat

Kısa Açıklama:

Yarı yalıtkan SiC substratları, direnci 100.000Ω·cm'den yüksek olan, yüksek dirençli bir yarı iletken malzemedir. Yarı yalıtkan SiC substratları esas olarak galyum nitrür mikrodalga RF cihazları ve yüksek elektron hareketlilik transistörleri (HEMT'ler) gibi mikrodalga RF cihazlarının üretiminde kullanılır. Bu cihazlar esas olarak 5G iletişiminde, uydu iletişiminde, radarlarda ve diğer alanlarda kullanılmaktadır.


Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Semicera'nın 4" 6" Yarı Yalıtımlı SiC Substratı, RF ve güç cihazı uygulamalarının katı gereksinimlerini karşılamak üzere tasarlanmış yüksek kaliteli bir malzemedir. Alt tabaka, silikon karbürün mükemmel termal iletkenliğini ve yüksek kırılma voltajını yarı yalıtım özellikleriyle birleştirerek onu gelişmiş yarı iletken cihazların geliştirilmesi için ideal bir seçim haline getirir.

4" 6" Yarı Yalıtımlı SiC Substrat, yüksek saflıkta malzeme ve tutarlı yarı yalıtım performansı sağlamak için özenle üretilmiştir. Bu, alt tabakanın amplifikatörler ve transistörler gibi RF cihazlarında gerekli elektriksel izolasyonu sağlamasını sağlarken aynı zamanda yüksek güçlü uygulamalar için gereken termal verimliliği de sağlar. Sonuç, çok çeşitli yüksek performanslı elektronik ürünlerde kullanılabilecek çok yönlü bir alt tabakadır.

Semicera, kritik yarı iletken uygulamalar için güvenilir, hatasız alt tabakalar sağlamanın öneminin farkındadır. 4" 6" Yarı Yalıtımlı SiC Substratımız, kristal kusurlarını en aza indiren ve malzeme tekdüzeliğini artıran gelişmiş üretim teknikleri kullanılarak üretilir. Bu, ürünün gelişmiş performansa, kararlılığa ve kullanım ömrüne sahip cihazların üretimini desteklemesini sağlar.

Semicera'nın kaliteye olan bağlılığı, 4" 6" Yarı Yalıtımlı SiC Substratımızın geniş bir uygulama yelpazesinde güvenilir ve tutarlı performans sunmasını sağlar. İster yüksek frekanslı cihazlar, ister enerji tasarruflu güç çözümleri geliştiriyor olun, yarı yalıtımlı SiC alt katmanlarımız yeni nesil elektroniklerin başarısının temelini oluşturur.

Temel parametreler

Boyut

6 inç 4 inç
Çap 150,0 mm+0 mm/-0,2 mm 100,0 mm+0 mm/-0,5 mm
Yüzey Yönü {0001}±0,2°
Birincil Düz Yönlendirme / <1120>±5°
İkincilDüz Yönlendirme / Silikon yüzü yukarı: Prime düzden 90° CW ve 5°
Birincil Düz Uzunluk / 32,5 mm ila 2,0 mm
İkincil Düz Uzunluk / 18,0 mm ve 2,0 mm
Çentik Yönü <1100>±1,0° /
Çentik Yönü 1,0 mm+0,25 mm/-0,00 mm /
Çentik Açısı 90°+5°/-1° /
Kalınlık 500,0um ve 25,0um
İletken Tip Yarı yalıtımlı

Kristal kalitesi bilgisi

öğe 6 inç 4 inç
Direnç ≥1E9Q·cm
Politip Hiçbirine izin verilmiyor
Mikroboru Yoğunluğu ≤0,5/cm2 ≤0,3/cm2
Yüksek yoğunluklu ışıkla altıgen plakalar Hiçbirine izin verilmiyor
Yüksek oranda Görsel Karbon Kapanımları Kümülatif alan≤%0,05
4 6 Yarı Yalıtımlı SiC Substrat-2

Direnç—Temassız tabaka direnci ile test edilmiştir.

4 6 Yarı Yalıtımlı SiC Substrat-3

Mikroboru Yoğunluğu

4 6 Yarı Yalıtımlı SiC Substrat-4
SiC gofretleri

  • Öncesi:
  • Sonraki: