-
Yarı İletken Endüstrisinde Kuvars Bileşenlerin Isıl Kararlılığı
Giriş Yarı iletken endüstrisinde, kritik bileşenlerin güvenilir ve verimli çalışmasını sağlamak için termal stabilite son derece önemlidir. Silikon dioksitin (SiO2) kristal formu olan kuvars, olağanüstü termal stabilite özellikleriyle önemli ölçüde tanınmaktadır. T...Devamını oku -
Yarı İletken Endüstrisinde Tantal Karbür Kaplamaların Korozyon Direnci
Başlık: Yarı İletken Endüstrisinde Tantal Karbür Kaplamaların Korozyon Direnci Giriş Yarı iletken endüstrisinde korozyon, kritik bileşenlerin ömrü ve performansı açısından önemli bir zorluk teşkil etmektedir. Tantal karbür (TaC) kaplamalar umut verici bir çözüm olarak ortaya çıktı ...Devamını oku -
İnce bir filmin tabaka direnci nasıl ölçülür?
Yarı iletken üretiminde kullanılan ince filmlerin tümü dirençlidir ve film direnci cihazın performansı üzerinde doğrudan etkiye sahiptir. Genellikle filmin mutlak direncini ölçmüyoruz, ancak onu karakterize etmek için tabaka direncini kullanıyoruz. Sac direnci ve hacim direnci nedir?Devamını oku -
CVD silisyum karbür kaplamanın uygulanması bileşenlerin çalışma ömrünü etkili bir şekilde artırabilir mi?
CVD silisyum karbür kaplama, bileşenlerin yüzeyinde ince bir film oluşturan ve bileşenlerin daha iyi aşınma direncine, korozyon direncine, yüksek sıcaklık direncine ve diğer özelliklere sahip olmasını sağlayan bir teknolojidir. Bu mükemmel özellikler CVD silisyum karbür kaplamaların yaygın olarak kullanılmasını sağlar.Devamını oku -
CVD silisyum karbür kaplamalar mükemmel sönümleme özelliklerine sahip midir?
Evet, CVD silisyum karbür kaplamalar mükemmel sönümleme özelliklerine sahiptir. Sönümleme, bir nesnenin titreşime veya darbeye maruz kaldığında enerjiyi dağıtma ve titreşimin genliğini azaltma yeteneğini ifade eder. Birçok uygulamada sönümleme özellikleri çok önemlidir...Devamını oku -
Silisyum karbür yarı iletken: çevre dostu ve verimli bir gelecek
Yarı iletken malzemeler alanında silisyum karbür (SiC), gelecek nesil verimli ve çevre dostu yarı iletkenler için umut verici bir aday olarak ortaya çıkmıştır. Silisyum karbür yarı iletkenler, benzersiz özellikleri ve potansiyeliyle daha sürdürülebilir bir yaklaşımın yolunu açıyor...Devamını oku -
Yarı iletken alanında silisyum karbür levha teknelerinin uygulama beklentileri
Yarı iletken alanında malzeme seçimi, cihaz performansı ve süreç geliştirme açısından kritik öneme sahiptir. Son yıllarda, yeni ortaya çıkan bir malzeme olarak silisyum karbür levhalar geniş ilgi görmüş ve yarı iletken alanında büyük uygulama potansiyeli göstermiştir. Silikon...Devamını oku -
Fotovoltaik güneş enerjisi alanında silisyum karbür seramiklerin uygulama beklentileri
Son yıllarda yenilenebilir enerjiye olan küresel talebin artmasıyla birlikte fotovoltaik güneş enerjisi, temiz ve sürdürülebilir bir enerji seçeneği olarak giderek daha önemli hale geldi. Fotovoltaik teknolojisinin geliştirilmesinde malzeme bilimi çok önemli bir rol oynamaktadır. Bunların arasında silisyum karbür seramikler,...Devamını oku -
Yaygın TaC kaplı grafit parçaların hazırlanma yöntemi
PART/1CVD (Kimyasal Buhar Biriktirme) yöntemi: 900-2300°C'de, tantal ve karbon kaynakları olarak TaCl5 ve CnHm, indirgeyici atmosfer olarak H₂, taşıyıcı gaz olarak Ar₂, reaksiyon biriktirme filmi kullanılarak. Hazırlanan kaplama kompakt, tekdüze ve yüksek saflıktatır. Ancak bazı sorunlar var...Devamını oku -
TaC kaplı grafit parçaların uygulanması
BÖLÜM/1 SiC ve AIN tek kristal fırında pota, tohum tutucu ve kılavuz halka, PVT yöntemiyle büyütüldü. Şekil 2'de [1] gösterildiği gibi, SiC hazırlamak için fiziksel buhar taşıma yöntemi (PVT) kullanıldığında, tohum kristali nispeten düşük sıcaklık bölgesi, SiC r ...Devamını oku -
Silisyum karbürün yapısı ve büyüme teknolojisi (Ⅱ)
Dördüncüsü, Fiziksel buhar aktarma yöntemi Fiziksel buhar taşıma (PVT) yöntemi, Lely tarafından 1955'te icat edilen buhar fazı süblimasyon teknolojisinden kaynaklanır. SiC tozu bir grafit tüpe yerleştirilir ve SiC tozunu ayrıştırıp süblimleştirmek için yüksek sıcaklığa ısıtılır.Devamını oku -
Silisyum karbürün yapısı ve büyüme teknolojisi (Ⅰ)
İlk olarak SiC kristalinin yapısı ve özellikleri. SiC, Si elementi ve C elementinin 1:1 oranında yani %50 silikon (Si) ve %50 karbon (C)'dan oluşturduğu ikili bir bileşiktir ve temel yapı birimi SI-C tetrahedrondur. Silisyum karbür tetrahedronun şematik diyagramı...Devamını oku