SiC substratları için nasıl ürettiğimiz işleme adımları aşağıdaki gibidir:
1. Kristal Yönlendirme: Kristal külçeyi yönlendirmek için X-ışını kırınımının kullanılması. Bir X-ışını ışını istenen kristal yüzüne yönlendirildiğinde, kırılan ışının açısı kristal yönelimini belirler.
2. Dış Çapın Öğütülmesi: Grafit potalarda büyütülen tek kristaller sıklıkla standart çapları aşar. Dış çapın taşlanması bunları standart ölçülere indirir.
3. Uç Yüz Taşlama: 4 inç 4H-SiC alt tabakalar tipik olarak birincil ve ikincil olmak üzere iki konumlandırma kenarına sahiptir. Uç yüz taşlama bu konumlandırma kenarlarını açar.
4. Tel Testere: Tel testere, 4H-SiC yüzeylerin işlenmesinde çok önemli bir adımdır. Tel kesme sırasında oluşan çatlaklar ve yüzey altı hasarları sonraki işlemleri olumsuz etkileyerek işlem süresini uzatır ve malzeme kaybına neden olur. En yaygın yöntem elmas aşındırıcılı çok telli testerelemedir. 4H-SiC külçeyi kesmek için elmas aşındırıcılarla birleştirilmiş metal tellerin ileri geri hareketi kullanılır.
5. Pah kırma: Sonraki işlemler sırasında kenar kırılmasını önlemek ve sarf malzemesi kayıplarını azaltmak için, tel ile kesilmiş talaşların keskin kenarları, belirtilen şekillerde pahlanır.
6. İnceltme: Tel testereyle kesme, birçok çizik ve yüzey altı hasarı bırakır. Bu kusurların mümkün olduğunca giderilmesi için elmas çarklar kullanılarak inceltme yapılır.
7. Taşlama: Bu işlem, inceltme sırasında oluşan artık hasarları ve yeni hasarları gidermek için daha küçük boyutlu bor karbür veya elmas aşındırıcılar kullanılarak kaba taşlama ve ince taşlama içerir.
8. Parlatma: Son adımlar, alümina veya silikon oksit aşındırıcılar kullanılarak kaba cilalama ve ince cilalamayı içerir. Parlatma sıvısı yüzeyi yumuşatır ve daha sonra aşındırıcılar tarafından mekanik olarak uzaklaştırılır. Bu adım pürüzsüz ve hasarsız bir yüzey sağlar.
9. Temizleme: İşlem adımlarından kalan parçacıkların, metallerin, oksit filmlerin, organik kalıntıların ve diğer kirleticilerin giderilmesi.
Gönderim zamanı: Mayıs-15-2024