-
Yarı İletken Üretim Süreci – Etch Teknolojisi
Bir levhayı yarı iletkene dönüştürmek için yüzlerce işlem gereklidir. En önemli işlemlerden biri gravürleme, yani levha üzerine ince devre desenlerinin oyulmasıdır. Aşındırma işleminin başarısı, belirli bir dağıtım aralığında çeşitli değişkenlerin yönetilmesine ve her aşındırma işleminin...Devamını oku -
Plazma Aşındırma Ekipmanındaki Odak Halkaları için İdeal Malzeme: Silisyum Karbür (SiC)
Plazma aşındırma ekipmanında, odak halkası da dahil olmak üzere seramik bileşenler çok önemli bir rol oynar. Plakanın etrafına yerleştirilen ve onunla doğrudan temas halinde olan odak halkası, halkaya voltaj uygulanarak plazmanın plaka üzerine odaklanması için gereklidir. Bu,...Devamını oku -
Hattın Ön Ucu (FEOL): Temelin Atılması
Üretim hattının ön kısmı bir evin temelini atmak ve duvarlarını inşa etmek gibidir. Yarı iletken üretiminde bu aşama, silikon levha üzerinde temel yapıların ve transistörlerin oluşturulmasını içerir. FEOL'un Temel Adımları: ...Devamını oku -
Silisyum karbür tek kristal işlemenin levha yüzey kalitesine etkisi
Yarı iletken güç cihazları, özellikle yapay zeka, 5G iletişim ve yeni enerji araçları gibi teknolojilerin hızlı gelişimi bağlamında, güç elektroniği sistemlerinde temel bir konuma sahiptir ve bunlara yönelik performans gereksinimleri giderek artmaktadır.Devamını oku -
SiC büyümesi için temel çekirdek malzemesi: Tantal karbür kaplama
Şu anda üçüncü nesil yarı iletkenlerde silisyum karbür hakimdir. Cihazlarının maliyet yapısında alt katman %47, epitaksi ise %23 oranında yer alıyor. İkisi birlikte silisyum karbür cihaz imalatının en önemli parçası olan yaklaşık %70'i oluşturur.Devamını oku -
Tantal karbür kaplı ürünler malzemelerin korozyon direncini nasıl artırır?
Tantal karbür kaplama, malzemelerin korozyon direncini önemli ölçüde artırabilen, yaygın olarak kullanılan bir yüzey işleme teknolojisidir. Tantal karbür kaplama, kimyasal buhar biriktirme, fiziksel hazırlama gibi farklı hazırlama yöntemleriyle alt tabakanın yüzeyine tutturulabilir.Devamını oku -
Dün, Bilim ve Teknoloji İnovasyon Kurulu, Huazhuo Precision Technology'nin halka arzını sonlandırdığına dair bir duyuru yayınladı!
Az önce, aynı zamanda Tsinghua'nın teknolojisi olan ilk 8 inçlik SIC lazer tavlama ekipmanının Çin'de teslim edildiğini duyurdu; Malzemeleri neden kendileri geri çektiler? Sadece birkaç kelime: Öncelikle ürünler çok çeşitli! İlk bakışta ne yaptıklarını bilmiyorum. Şu anda H..Devamını oku -
CVD silisyum karbür kaplama-2
CVD silisyum karbür kaplama 1. Neden silisyum karbür kaplama var? Epitaksiyel katman, epitaksiyel işlem yoluyla levha temelinde büyütülen spesifik bir tek kristal ince filmdir. Substrat levhası ve epitaksiyel ince film topluca epitaksiyel levhalar olarak adlandırılır. Bunların arasında...Devamını oku -
SIC kaplamanın hazırlanma süreci
Şu anda SiC kaplamanın hazırlanma yöntemleri temel olarak jel-sol yöntemini, gömme yöntemini, fırça kaplama yöntemini, plazma püskürtme yöntemini, kimyasal buhar reaksiyon yöntemini (CVR) ve kimyasal buhar biriktirme yöntemini (CVD) içerir. Gömme yöntemiBu yöntem bir tür yüksek sıcaklıkta katı fazdır ...Devamını oku -
CVD Silisyum Karbür Kaplama-1
CVD SiC nedir? Kimyasal buhar biriktirme (CVD), yüksek saflıkta katı malzemeler üretmek için kullanılan bir vakum biriktirme işlemidir. Bu işlem genellikle yarı iletken üretim alanında levhaların yüzeyinde ince filmler oluşturmak için kullanılır. SiC'nin CVD ile hazırlanması sürecinde alt tabaka...Devamını oku -
X-ışını topolojik görüntülemenin desteklediği ışın izleme simülasyonu ile SiC kristalindeki dislokasyon yapısının analizi
Araştırma geçmişi Silisyum karbürün (SiC) uygulama önemi: Geniş bant aralıklı bir yarı iletken malzeme olarak silisyum karbür, mükemmel elektriksel özelliklerinden (daha büyük bant aralığı, daha yüksek elektron doyma hızı ve termal iletkenlik gibi) dolayı büyük ilgi görmüştür. Bu pervaneler...Devamını oku -
SiC tek kristal büyütmede tohum kristal hazırlama işlemi 3
Büyüme Doğrulaması Silisyum karbür (SiC) tohum kristalleri, belirtilen proses takip edilerek hazırlandı ve SiC kristal büyümesi yoluyla doğrulandı. Kullanılan büyüme platformu, 2200°C'lik bir büyüme sıcaklığına, 200 Pa'lık bir büyüme basıncına ve bir büyüme sıcaklığına sahip, kendi geliştirdiği bir SiC indüksiyonlu büyüme fırınıydı.Devamını oku