-
Tantal Karbür Nedir?
Tantal karbür (TaC), x'in genellikle 0,4 ile 1 arasında değiştiği TaCx kimyasal formülüne sahip tantal ve karbondan oluşan ikili bir bileşiktir. Bunlar, metalik iletkenliğe sahip son derece sert, kırılgan, refrakter seramik malzemelerdir. Onlar kahverengi-gri tozlardır ve biziz...Devamını oku -
tantal karbür nedir
Tantal karbür (TaC), yüksek sıcaklık direncine, yüksek yoğunluğa, yüksek kompaktlığa sahip, ultra yüksek sıcaklıkta bir seramik malzemedir; yüksek saflıkta, safsızlık içeriği <5PPM; ve yüksek sıcaklıklarda amonyak ve hidrojene karşı kimyasal eylemsizlik ve iyi termal stabilite. Sözde ultra yüksek ...Devamını oku -
Epitaksi nedir?
Çoğu mühendis, yarı iletken cihaz üretiminde önemli bir rol oynayan epitaksiye aşina değildir. Epitaksi farklı çip ürünlerinde kullanılabilir ve farklı ürünler Si epitaksi, SiC epitaksi, GaN epitaksi vb. dahil olmak üzere farklı epitaksi türlerine sahiptir. Epitaksi nedir? Epitaksi...Devamını oku -
SiC'nin önemli parametreleri nelerdir?
Silisyum karbür (SiC), yüksek güçlü ve yüksek frekanslı elektronik cihazlarda yaygın olarak kullanılan önemli bir geniş bant aralıklı yarı iletken malzemedir. Aşağıda silisyum karbür levhaların bazı temel parametreleri ve bunların ayrıntılı açıklamaları yer almaktadır: Kafes Parametreleri: ...Devamını oku -
Tek kristal silikonun neden haddelenmesi gerekiyor?
Haddeleme, bir silikon tek kristal çubuğun dış çapının, bir elmas taşlama çarkı kullanılarak gerekli çapta tek bir kristal çubuğa taşlanması ve tek kristal çubuğun düz kenarlı bir referans yüzeyinin veya konumlandırma oluğunun taşlanması işlemini ifade eder. Dış çap yüzeyi ...Devamını oku -
Yüksek Kaliteli SiC Tozlarının Üretilmesine Yönelik Prosesler
Silisyum karbür (SiC), olağanüstü özellikleriyle bilinen inorganik bir bileşiktir. Mozanit olarak bilinen doğal olarak oluşan SiC oldukça nadirdir. Endüstriyel uygulamalarda silisyum karbür ağırlıklı olarak sentetik yöntemlerle üretilir.Semicera Semiconductor'da, ileri teknolojiden yararlanıyoruz...Devamını oku -
Kristal çekme sırasında radyal direnç eşitliğinin kontrolü
Tek kristallerin radyal direncinin tekdüzeliğini etkileyen ana nedenler, katı-sıvı arayüzünün düzlüğü ve kristal büyümesi sırasında küçük düzlem etkisidir Katı-sıvı arayüzünün düzlüğünün etkisi Kristal büyümesi sırasında, eğer eriyik eşit şekilde karıştırılırsa ,...Devamını oku -
Manyetik alan tek kristal fırını neden tek kristalin kalitesini artırabilir?
Pota kap olarak kullanıldığından ve içinde konveksiyon olduğundan, üretilen tek kristalin boyutu arttıkça, ısı konveksiyonunun ve sıcaklık gradyanının homojenliğinin kontrol edilmesi zorlaşır. İletken eriyiğin Lorentz kuvvetine etki etmesini sağlamak için manyetik alan eklenerek konveksiyon...Devamını oku -
Süblimasyon yöntemiyle CVD-SiC toplu kaynağı kullanılarak SiC tek kristallerinin hızlı büyümesi
Süblimasyon Yöntemi ile CVD-SiC Toplu Kaynağı Kullanılarak SiC Tek Kristalinin Hızlı BüyümesiSiC kaynağı olarak geri dönüştürülmüş CVD-SiC blokları kullanılarak, SiC kristalleri PVT yöntemiyle 1,46 mm/saat hızla başarıyla büyütüldü. Büyütülmüş kristalin mikropipi ve dislokasyon yoğunlukları şunu gösteriyor...Devamını oku -
Silisyum Karbür Epitaksiyel Büyütme Ekipmanında Optimize Edilmiş ve Çevrilmiş İçerik
Silisyum karbür (SiC) alt tabakalar, doğrudan işlemeyi engelleyen çok sayıda kusura sahiptir. Çip levhaları oluşturmak için, epitaksiyel bir işlem yoluyla SiC substratı üzerinde belirli bir tek kristalli filmin büyütülmesi gerekir. Bu film epitaksiyel katman olarak bilinir. Neredeyse tüm SiC cihazları epitaksiyel olarak gerçekleştirilir...Devamını oku -
Yarı İletken Üretiminde SiC Kaplı Grafit Tutucuların Önemli Rolü ve Uygulama Durumları
Semicera Semiconductor, yarı iletken üretim ekipmanlarına yönelik temel bileşenlerin üretimini küresel olarak artırmayı planlıyor. 2027 yılına kadar toplam 70 milyon dolarlık yatırımla 20.000 metrekarelik yeni bir fabrika kurmayı hedefliyoruz. Temel bileşenlerimizden biri olan silisyum karbür (SiC) levha taşıyıcısı...Devamını oku -
Neden silikon plaka yüzeylerinde epitaksi yapmamız gerekiyor?
Yarı iletken endüstri zincirinde, özellikle üçüncü nesil yarı iletken (geniş bant aralıklı yarı iletken) endüstri zincirinde, alt tabakalar ve epitaksiyel katmanlar bulunmaktadır. Epitaksiyel tabakanın önemi nedir? Substrat ve substrat arasındaki fark nedir? Alt yapı...Devamını oku